何炅（d）转移到SiO2/Si上的石墨烯的光学图像和2DFWHM拉曼图。
该工作突破了在绝缘基底上合成大面积单晶石墨烯的瓶颈，曝经为下一代基于高质量石墨烯的纳米器件的研究和发展提供参考。【小结】综上所述，司解通过碳原子从Cu(111)表面扩散到Cu(111)-Al2O3(0001)界面，生长合成石墨烯。
约内以第一作者和通讯作者身份发表论文在NatureMaterials,AdvancedMaterials,NanoLetters等。最近相关工作报道了大规模单晶Cu(111)箔的生产制备，太黑这有利于合成无多层的大尺寸单层石墨烯，但是褶皱还是会被观察到。本文所有图来源于©2022SpringerNatureLimited【图文解读】图一、何炅在Al2O3(0001)上形成的晶圆尺寸单晶Cu(111)薄膜（a）Al2O3(0001)表面上Cu(110)、何炅Cu(100)和Cu(111)的能量示意图。
目前，曝经石墨烯薄膜在铜箔上的生长已经非常成熟，并且实现了高质量CVD石墨烯的工业化生产。田博博士生简介田博，司解现为沙特阿卜杜拉国王科技大学（KASUT）在读博士，司解于2015年本科毕业于厦门大学物理系（导师：蔡伟伟），于2018年加入KAUST低维纳米材料研究实验室（导师：张西祥）。
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太黑（g）界面处生长的和转移到SiO2/Si上的石墨烯的AFM图像。何炅（c）与温度相关的CH4选择性。
曝经（e-f）退火处理的2%Ru/R-TiO2-H2和4%Ru/R-TiO2-H2催化剂在Ar和空气中的温度依赖性CO2转化率。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，司解投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。
在A-TiO2上，约内Ru表现出降低的活性和CO的主要选择性。图六、太黑界面相容性对Ru/TiO2粘合强度影响的原子图 ©2022TheAuthors（a）RuNPs在R-TiO2(110)表面上的外延分散示意图。
